采用正交法研究金刚石偏压形核

王传新; 汪建华; 满卫东; 王升高; 马志斌; 康志成; 吴素娟

doi:10.19515/j.cnki.1003-1545.2003.02.003

采用正交法研究金刚石偏压形核

1. 中国科学院等离子体物理研究所, 合肥 230031;
2. 武汉化工学院材料科学与工程系, 武汉 430073

详细信息

作者简介:
王传新,男,中科院等离子体物理研究所博士研究生,主要研究方向:低温等离子体应用。

中图分类号: TN304.1^＋8
计量
- 文章访问数: 30
- HTML全文浏览量: 8
- PDF下载量: 0
出版历程
- 收稿日期: 2002-09-08
- 网络出版日期: 2024-06-14

Study on Bias-enhanced Nucleation of Diamond Using Orthogonal Method

1. The Institute of Plasma Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China;
2. Dept of Material Science and Engineering, Wuhan Institute of Chemical Technology, Wuhan 430073, China

摘要

摘要: 在微波等离子体化学气相沉积装置中,采用正交试验法研究金刚石在镜面抛光的Si (100)面上的偏压形核过程中,形核时间、偏压电压、气压及甲烷浓度对形核密度的影响,研究结果表明:形核密度随形核时间的增加而增加,适中的偏压电压和沉积气压有利于金刚石的形核,而甲烷浓度的影响很小。正交试验所得的最佳形核条件为偏压-150V;时间12min;气压4kPa;CH₄比率5%,在该条件下金刚石的形核密度达到10¹⁰个/cm²。
- 化学气相沉积 /
- 正交试验 /
- 金刚石 /
- 形核
Abstract: The bias-enhanced nucleation of diamond on mirrorpolish Si(100) has been studied by using orthogonal method in a microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) reactor. The effects of process parameters such as bias voltage, methane content, bias time and gas pressure on diamond nucleation are investigated. The results show that the diamond nucleation density increases in direct ratio with the nucleation time. The moderate bias voltage and gas pressure are beneficial to diamond nucleation while the effect of the methane concentration on the nucleation is negligible. The optimum nucleation condition obtained from orthogonal test is bias voltage -250V, nucleation time 12min, gas pressure 4kPa and methane concentration 4% under which a very high nucleation density up to 10¹⁰/cm² has been achieved.
- Chemical vapor deposition /
- Orthogonal method /
- Diamond /
- Nucleation

HTML全文

参考文献(0)

施引文献

资源附件(0)

计量

文章访问数: 30
HTML全文浏览量: 8
PDF下载量: 0
被引次数: 0

采用正交法研究金刚石偏压形核

作者简介: 王传新,男,中科院等离子体物理研究所博士研究生,主要研究方向:低温等离子体应用。

计量

出版历程

Study on Bias-enhanced Nucleation of Diamond Using Orthogonal Method

计量

出版历程

目录

作者简介:
王传新,男,中科院等离子体物理研究所博士研究生,主要研究方向:低温等离子体应用。