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直流电弧等离子雾化法制备纳米Sn1-xBixO2粉末的研究

谢斌 王政红 师琳璞

谢斌, 王政红, 师琳璞. 直流电弧等离子雾化法制备纳米Sn1-xBixO2粉末的研究[J]. 材料开发与应用, 2020, 35(5): 27-32.
引用本文: 谢斌, 王政红, 师琳璞. 直流电弧等离子雾化法制备纳米Sn1-xBixO2粉末的研究[J]. 材料开发与应用, 2020, 35(5): 27-32.
XIE Bin, WANG Zhenghong, SHI Linpu. Synthesis of Nanometer Sn1-xBixO2 Particles by DC Arc Plasma Atomization Method[J]. Development and Application of Materials, 2020, 35(5): 27-32.
Citation: XIE Bin, WANG Zhenghong, SHI Linpu. Synthesis of Nanometer Sn1-xBixO2 Particles by DC Arc Plasma Atomization Method[J]. Development and Application of Materials, 2020, 35(5): 27-32.

直流电弧等离子雾化法制备纳米Sn1-xBixO2粉末的研究

详细信息
    作者简介:

    谢斌,男,硕士,工程师,主要从事纳米材料及高性能陶瓷研发工作;E-mail:xiebin@725.com.cn。

  • 中图分类号: TB34

Synthesis of Nanometer Sn1-xBixO2 Particles by DC Arc Plasma Atomization Method

  • 摘要: 采用电弧等离子雾化法制备了不同Bi2O3含量的掺Bi纳米复合SnO2粉末,粉末的粒径在40 nm左右。采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HR-TEM)分析了粉末的物相结构及形貌,并利用半高宽法(FWEH)计算了粉末的晶粒尺寸。研究表明,采用电弧等离子雾化法制备的掺Bi纳米复合SnO2粉末的主要晶相为四方相SnO2,含有少量焦绿石结构的Bi2Sn2O7相;粉末的晶格常数接近(a≈4.75Å,c≈3.19Å),沿(110)和(101)晶面生长;粉末的形貌呈类球形,存在少量的柱状晶,晶粒内部存在类似第二相的小颗粒。Bi2O3含量(w)为20%的粉末经过1 320℃处理后,团聚严重,有一定量的Bi2O3析出、偏聚。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2019-12-25
  • 网络出版日期:  2024-03-14

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