等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究

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等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究

王钧石, 柳襄怀, 黄楠, 孙宏, 王良辉

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王钧石, 柳襄怀, 黄楠, 孙宏, 王良辉. 等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究[J]. 材料开发与应用, 2003, 18(5): 17-20. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2003.05.005

引用本文:

王钧石, 柳襄怀, 黄楠, 孙宏, 王良辉. 等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究[J]. 材料开发与应用, 2003, 18(5): 17-20. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2003.05.005

Wang Junshi, Liu Xianghuai, Huang Nan, Sun Hong, Wang Lianghui. An Investigation on the TiN Film Prepared by Means of PIII-IBAD[J]. Development and Application of Materials, 2003, 18(5): 17-20. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2003.05.005

Citation:

Wang Junshi, Liu Xianghuai, Huang Nan, Sun Hong, Wang Lianghui. An Investigation on the TiN Film Prepared by Means of PIII-IBAD[J]. Development and Application of Materials, 2003, 18(5): 17-20. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2003.05.005

王钧石, 柳襄怀, 黄楠, 孙宏, 王良辉. 等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究[J]. 材料开发与应用, 2003, 18(5): 17-20. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2003.05.005

引用本文:

王钧石, 柳襄怀, 黄楠, 孙宏, 王良辉. 等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究[J]. 材料开发与应用, 2003, 18(5): 17-20. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2003.05.005

Wang Junshi, Liu Xianghuai, Huang Nan, Sun Hong, Wang Lianghui. An Investigation on the TiN Film Prepared by Means of PIII-IBAD[J]. Development and Application of Materials, 2003, 18(5): 17-20. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2003.05.005

Citation:

Wang Junshi, Liu Xianghuai, Huang Nan, Sun Hong, Wang Lianghui. An Investigation on the TiN Film Prepared by Means of PIII-IBAD[J]. Development and Application of Materials, 2003, 18(5): 17-20. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2003.05.005

等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究

doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2003.05.005

1. 西南交通大学, 成都 610031;
2. 上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050

基金项目:

中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室应用基础研究基金(10002)

中图分类号: TQ153.1⁺9,TG174.444
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出版历程
- 收稿日期: 2003-02-21
- 网络出版日期: 2024-06-15

An Investigation on the TiN Film Prepared by Means of PIII-IBAD

1. Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China;
2. Shanghai Institute of Microsystem and Information, Shanghai 200050, China

摘要: 本文采用一种新型的等离子体浸没式离子注入离子束增强沉积的技术(PIII-IBAD),在Cr12MoV钢基体上制备出了TiN膜,对沉积膜的组织进行了光电子能谱分析,并对沉积膜进行了硬度检测、摩擦试验及磨痕形貌分析。试验结果表明,沉积膜中的组织为TiN、TiO₂和Ti₂O₃,TiN膜具有高达Hv3200的高硬度和极其优良的摩擦性能。
- 等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积(PIII-IBAD) /
- TiN膜 /
- 显微硬度 /
- 摩擦性能
Abstract: The TiN film is prepared on the substrate of Cr12MoV steel by means of plasma immersion ion implantation-ion beam assisted deposition (PIII-IBAD). The structure and the tribological property including microhardness, friction coefficient and wearing traces are investigated respectively with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), hardness tester, sliding friction tests and scanning electron microscopy (SEM). The results indicate that the structure of the film is consisted of TiN, TiO₂ and Ti₂O₃ and the film possesses high hardness up to Hv3200 and high wearing capacity.
- Plasma immersion ion implantation-ion beam assisted deposition (PIII-IBAD) /
- TiN film /
- Microhardness /
- Tribological properties

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