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电弧气化法制备纳米ITO粉末及高密度ITO靶的研制

张雪凤 潘震 王政红 邢朋飞

张雪凤, 潘震, 王政红, 邢朋飞. 电弧气化法制备纳米ITO粉末及高密度ITO靶的研制[J]. 材料开发与应用, 2009, 24(3): 1-3,7. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2009.03.001
引用本文: 张雪凤, 潘震, 王政红, 邢朋飞. 电弧气化法制备纳米ITO粉末及高密度ITO靶的研制[J]. 材料开发与应用, 2009, 24(3): 1-3,7. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2009.03.001
ZHANG Xue-feng, PAN Zhen, WANG Zheng-hong, XING Peng-fei. Preparation of ITO Nano Powder by Arc Evaporating and Development of Ultra High Density ITO Target[J]. Development and Application of Materials, 2009, 24(3): 1-3,7. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2009.03.001
Citation: ZHANG Xue-feng, PAN Zhen, WANG Zheng-hong, XING Peng-fei. Preparation of ITO Nano Powder by Arc Evaporating and Development of Ultra High Density ITO Target[J]. Development and Application of Materials, 2009, 24(3): 1-3,7. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2009.03.001

电弧气化法制备纳米ITO粉末及高密度ITO靶的研制

doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2009.03.001
详细信息
  • 中图分类号: TB383

Preparation of ITO Nano Powder by Arc Evaporating and Development of Ultra High Density ITO Target

  • 摘要: 以纯度为99.99%的纯金属In和Sn为原料,采用电弧气化法制备了单一立方In2O3结构的纳米ITO合金粉末,所制备的粉末以四方和类球形两种形貌存在,粒度主要位于30~70nm,分散性良好;并在此基础上采用常压烧结制备了相对密度高达99.74%,平均电阻率达到1.52×10-4Ω.cm,结构成份均匀,晶粒尺寸5~10μm左右的超高密度ITO靶材。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-01-08
  • 网络出版日期:  2024-03-30

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