钛酸锶掺杂改性研究进展

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钛酸锶掺杂改性研究进展

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常亮亮. 钛酸锶掺杂改性研究进展[J]. 材料开发与应用, 2014, 29(1): 89-93. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2014.01.020

引用本文:

常亮亮. 钛酸锶掺杂改性研究进展[J]. 材料开发与应用, 2014, 29(1): 89-93. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2014.01.020

CHANG Liang-liang. Research Progress of Doped Strontium Titanate[J]. Development and Application of Materials, 2014, 29(1): 89-93. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2014.01.020

Citation:

CHANG Liang-liang. Research Progress of Doped Strontium Titanate[J]. Development and Application of Materials, 2014, 29(1): 89-93. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2014.01.020

常亮亮. 钛酸锶掺杂改性研究进展[J]. 材料开发与应用, 2014, 29(1): 89-93. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2014.01.020

引用本文:

常亮亮. 钛酸锶掺杂改性研究进展[J]. 材料开发与应用, 2014, 29(1): 89-93. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2014.01.020

CHANG Liang-liang. Research Progress of Doped Strontium Titanate[J]. Development and Application of Materials, 2014, 29(1): 89-93. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2014.01.020

Citation:

CHANG Liang-liang. Research Progress of Doped Strontium Titanate[J]. Development and Application of Materials, 2014, 29(1): 89-93. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2014.01.020

钛酸锶掺杂改性研究进展

doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2014.01.020

常亮亮

商洛学院陕西省尾矿综合利用重点实验室, 陕西商洛 726000

基金项目:

商洛学院科研项目(13SKY006)

作者简介:
常亮亮, 1985年生, 女, 汉族, 陕西洛南人, 助教, 主要从事高分子材料方面的研究. E-mail: 41550177@qq.com

中图分类号: O614.33
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出版历程
- 收稿日期: 2013-10-15
- 网络出版日期: 2024-03-30

Research Progress of Doped Strontium Titanate

CHANG Liang-liang

Shaanxi Key Laboratory of Comprehensive Utilization of Tailings Resources, Shangluo University, Shangluo, 726000, China

摘要: 钛酸锶SrTiO₃(STO)具有优良的铁电、介电性能, 在可调谐微波器件、动态随机存储器、红外探测器阵列等方面具有良好的应用前景.综述了近年来STO掺杂改性研究所取得的进展, 对施主掺杂和受主掺杂进行了较详细的评述, 并对目前STO掺杂研究的几个前沿问题进行了详细的讨论.
- 钛酸锶 /
- 掺杂改性
Abstract: Due to the good ferroelectric and dielectric properties, strontium titanate(STO) has a promising application in tunable microwave devices, DRAMs, IR detector arrays and so on. This paper summarizs the effect of donor doing and acceptor doping in ST thin films reported in many literatures recently years. Some sophisticated problems in ST thin films doping are also attentively discussed.
- STO /
- doping

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