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“一步法”合成NiCo2S4纳米阵列高性能能量存储器件电极的研究

刘沛静

刘沛静. “一步法”合成NiCo2S4纳米阵列高性能能量存储器件电极的研究[J]. 材料开发与应用, 2017, 32(5): 71-76. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2017.05.014
引用本文: 刘沛静. “一步法”合成NiCo2S4纳米阵列高性能能量存储器件电极的研究[J]. 材料开发与应用, 2017, 32(5): 71-76. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2017.05.014
LIU Peijing. Research on“One-step”Synthesis of NiCo2S4 Nanoarray Electrode for High-performance Energy Storage Device[J]. Development and Application of Materials, 2017, 32(5): 71-76. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2017.05.014
Citation: LIU Peijing. Research on“One-step”Synthesis of NiCo2S4 Nanoarray Electrode for High-performance Energy Storage Device[J]. Development and Application of Materials, 2017, 32(5): 71-76. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2017.05.014

“一步法”合成NiCo2S4纳米阵列高性能能量存储器件电极的研究

doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2017.05.014
详细信息
    作者简介:

    刘沛静,1985年生,女,助教,主要从事锂离子电池以及超级电容器电极材料研究;E-mail:591324904@qq.com

  • 中图分类号: TB34

Research on“One-step”Synthesis of NiCo2S4 Nanoarray Electrode for High-performance Energy Storage Device

  • 摘要: 通过简单的“一步低温原位合成”法成功制备出了以泡沫镍为基底的具有自支撑结构的分层三维网络的NiCo2S4纳米阵列, 采用SEM、XRD对产物的微观结构进行表征, 并对其进行电化学性能测试。结果表明, 由于这种独特的分层网络结构, 该NiCo2S4纳米阵列不仅能够为能量存储提供大量的电化学活性位点, 而且拥有良好的电子传递性能, NiCo2S4@泡沫镍电极在20 m A/cm2的电流密度下, 面积比电容可达到10.15 F/cm2, 且当电流密度增大到100 m A/cm2时, 面积电容仍然为7.29 F/cm2, 显示出优异的电容保持率;当NiCo2S4负载量是14.8 mg时, 电流密度为20 m A/cm2, 充放电5 000次, 电容保持率是72.5%, 显示出NiCo2S4@泡沫镍电极良好的循环稳定性。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2017-07-05
  • 网络出版日期:  2024-03-18

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