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ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究

崔晓芳 吴晓飞 郗雨林

崔晓芳, 吴晓飞, 郗雨林. ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究[J]. 材料开发与应用, 2019, 34(6): 35-39. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2019.06.007
引用本文: 崔晓芳, 吴晓飞, 郗雨林. ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究[J]. 材料开发与应用, 2019, 34(6): 35-39. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2019.06.007
CUI Xiaofang, WU Xiaofei, XI Yulin. Study on DC Magnetron Sputtering Coating Process of ITO Target[J]. Development and Application of Materials, 2019, 34(6): 35-39. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2019.06.007
Citation: CUI Xiaofang, WU Xiaofei, XI Yulin. Study on DC Magnetron Sputtering Coating Process of ITO Target[J]. Development and Application of Materials, 2019, 34(6): 35-39. doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2019.06.007

ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究

doi: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2019.06.007
详细信息
    作者简介:

    崔晓芳,女,从事纳米材料研究。

  • 中图分类号: TF124

Study on DC Magnetron Sputtering Coating Process of ITO Target

  • 摘要: 对ITO靶材的直流磁控溅射工艺进行研究,通过正交试验方法确定制备ITO薄膜的最优工艺参数,并明确了溅射温度、氧氩比、溅射气压和溅射功率密度对ITO薄膜电阻率和可见光透过率的影响规律。最优工艺参数为溅射温度370℃,氧氩比0.5/40,溅射气压0.4 Pa,溅射功率密度0.17 W/cm2。薄膜电阻率受各因素影响的主次顺序是:氧氩比>溅射温度>溅射气压>溅射功率密度。薄膜可见光透过率受各因素影响的主次顺序为:溅射温度>溅射气压>氧氩比>溅射功率密度。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2019-07-05
  • 网络出版日期:  2024-03-18

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